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経済
IT

2019年10月22日

次世代メモリーの研究開発を加速、政府・大学・半導体メーカーが提携

 
 シンガポール政府と南洋理工大学(NTU)、米国の半導体製造企業グローバルファウンドリーズは、自動運転車、家庭用センサーなどモノのインターネット(IoT)で利用するデバイスの耐久性を高め、低価格で製造するための技術開発で提携する。プロジェクト費用は、研究者、設備の提供を含め1億2,000万Sドル(約95億2,440万円)で、抵抗変化メモリー(ReRAM)の研究・開発(R&D)を4年間にわたり行う。
 
 ReRAMは電圧印加による電気抵抗の大きな変化を利用しており、◇電圧で書き換えるため消費電力が小さい◇比較的単純な構造のためセル面積が小さく高密度化、低コスト化が可能◇読み出し時間が10ナノ秒程度と、DRAM並みに高速――などの特徴がある。
 
 政府は国家研究財団(NRF)を通じ資金を出す。NRF理事長であるヘン・スイーキアット副首相兼財務相によると、企業と学術機関の提携では過去最大のプロジェクト。政府は半導体以外の領域でも企業に学術機関との提携を奨励する方針だ。
 
 ReRAMはランダムアクセスメモリーの進化系。グローバルファウンドリーズは世界3位のファウンドリー。同社とNTUの研究者70人が研究開発に当たる。

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